[发明专利]三五族半导体的太阳能电池结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种三五族半导体的太阳能电池结构及其制作方法，所述三五族半导体的太阳能电池结构包括一透明基板、一非晶硅层及至少一层三五族多晶半导体层(Group III-V polycrystal semiconductor)，其中非晶硅层是利用电浆辅助化学气相沉积法形成于透明基板上，而三五族多晶半导体层是利用金属有机化学气相沉积法依序形成于非晶硅层上。由于本发明是使用透明基板来取代传统的三五族基板，因此本发明可大幅降低成本，增加太阳能电池的面积，进而增加吸光面积，提升转换效率。

主权项

一种三五族半导体的太阳能电池结构，包括：一透明基板；一非晶硅层，形成于该透明基板上；以及至少一三五族多晶半导体层，形成于该非晶硅层上。