[发明专利]一种晶体硅P型表面的钝化方法无效
| 申请号： | 201010564187.X | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102110742A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 董经兵;宋文涛;陶龙忠;邢国强 | 申请（专利权）人： | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 215434 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅P型表面的钝化方法，具体步骤为：将已经硼扩散完成的N型晶体硅片，去除表面的硼硅玻璃，并进行清洗；在清洗完成的硅片表面生长一层SiO2薄层；在已经生长完成的SiO2薄层表面采用等离子化学气相PECVD方式沉积一层SiNx。本发明所述方法适合产业化生产、热处理过程少、良好的减反射效果、良好的钝化质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 表面 钝化 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体硅P型表面的钝化方法，其特征在于：该方法的具体步骤如下：（1）将已经硼扩散完成的N型晶体硅片，去除表面的硼硅玻璃，并进行清洗；（2）在清洗完成的硅片表面生长一层SiO2薄层； （3）在已经生长完成的SiO2薄层表面采用等离子化学气相PECVD方式沉积一层SiNx 。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
