[发明专利]分布放大的取样光栅分布布拉格反射可调谐激光器结构

摘要

一种分布放大的取样光栅分布布拉格反射可调谐激光器结构，包括：一衬底；一n-InP缓冲层制作在衬底上；一InGaAsP下限制层制作在n-InP缓冲层上；一增益层制作在InGaAsP下限制层上；一InGaAsP上限制层制作在增益层上，其表面形成有取样光栅结构，该取样光栅光栅结构位于无源波导之上；一p-InP层制作在InGaAsP上限制层上；一p-InGaAsP刻蚀阻止层制作在p-InP层上；一上p-InP盖层制作在p-InGaAsP刻蚀阻止层上；一p-InGaAs接触层制作在上p-InP盖层上，其上形成有不同区段的隔离沟；一金属电极制作在p-InGaAs接触层的上表面，形成光栅分布布拉格反射可调谐激光器结构；其中该光栅分布布拉格反射可调谐激光器结构分为分布放大前取样光栅区、增益区、相区和分布放大的后取样光栅区。

主权项

一种分布放大的取样光栅分布布拉格反射可调谐激光器结构，包括：一衬底；一n‑InP缓冲层，该n‑InP缓冲层制作在衬底上；一InGaAsP下限制层，该InGaAsP下限制层制作在n‑InP缓冲层上；一增益层，该增益层制作在InGaAsP下限制层上，该增益层为交替的有源波导和无源波导结构；一InGaAsP上限制层，该InGaAsP上限制层制作在增益层上，该InGaAsP上限制层的表面形成有取样光栅结构，该取样光栅光栅结构位于无源波导之上；一p‑InP层，该p‑InP层制作在InGaAsP上限制层上；一p‑InGaAsP刻蚀阻止层，该p‑InGaAsP刻蚀阻止层制作在p‑InP层上；一上p‑InP盖层，该上p‑InP盖层制作在p‑InGaAsP刻蚀阻止层上；一p‑InGaAs接触层，该p‑InGaAs接触层制作在上p‑InP盖层上，在该p‑InGaAs接触层上形成有不同区段的隔离沟；一金属电极，该金属电极制作在p‑InGaAs接触层的上表面，形成光栅分布布拉格反射可调谐激光器结构；其中该光栅分布布拉格反射可调谐激光器结构分为分布放大前取样光栅区、增益区、相区和分布放大的后取样光栅区。