[发明专利]一种低波纹系数半导体超辐射发光二极管的制备方法

摘要

本发明公开了一种低波纹系数半导体超辐射发光二极管的制备方法，采用斜三角形吸收区的波导结构结合前后腔面淀积超低反射率的光学增透膜，实现低波纹系数半导体超辐射发光二极管的制备。本发明采用斜三角形吸收区的波导形式，它的三条边与对应腔面之间均保持一定的夹角，可以有效提高光透射率；另外，斜腔的结构也可以有效抑制受激振荡，减少腔面的光反馈。在膜系设计上，两层膜系结构的低反射率光谱区带宽、膜料的折射率偏差和厚度偏差对膜系剩余反射率的影响程度均好于三层膜系对称结构，且工艺制备时的允差较大，有利于实现精确监控。本发明提供的制作低波纹系数的半导体超辐射发光二极管方法，工艺相对简单，实现成本较低，具有工艺合理性。

主权项

一种低波纹系数半导体超辐射发光二极管的制备方法，其特征在于，该方法采用斜三角形吸收区的波导结构结合前后腔面淀积超低反射率的光学增透膜，实现低波纹系数半导体超辐射发光二极管的制备，具体包括：在InP衬底上外延生长器件的有源结构；在有源结构上淀积生长一层二氧化硅；在该二氧化硅上光刻并腐蚀出增益区+斜三角形吸收区的波导图形，再通过湿法腐蚀技术实现该波导结构；在该波导结构上依次淀积生长P‑InP和N‑InP电流限制层，直至其台面与波导结构的台面平齐，并腐蚀掉该波导结构上的二氧化硅；淀积生长高掺杂的欧姆接触层，在欧姆接触层上淀积生长一层二氧化硅掩膜，然后制备吸收区；采用物理气相淀积的方法，实现特殊金属化的电极；将得到的外延片解理成管芯，在管芯的两端面进行镀膜，形成低波纹系数的半导体超辐射发光二极管。