[发明专利]一种三元系弛豫铁电单晶材料及其制备方法无效
申请号: | 201010564662.3 | 申请日: | 2010-11-29 |
公开(公告)号: | CN101985775A | 公开(公告)日: | 2011-03-16 |
发明(设计)人: | 张耀耀;罗豪甦;刘林华;赵祥永;徐海清;王升;林迪;李晓兵;狄文宁;王威;刘大安;吴啸 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C30B29/22 | 分类号: | C30B29/22;C30B29/30;C30B29/32;C30B11/00 |
代理公司: | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人: | 何葆芳 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种三元系弛豫铁电单晶材料,其化学组成为:xPb(In1/2Nb1/2)O3-yPb(Mg1/3Nb2/3)O3-(1-x-y)PbTiO3,其中x=0.1~0.45,y=0.1~0.5。所述的单晶材料PIMNT的制备方法是一种改进的Bridgman法,包括:原料处理、升温熔化、坩埚下降生长、降温晶体生长过程。本发明所制备的单晶材料克服了现有技术中的PMNT单晶居里点太低及PINT单晶结晶比较困难、难以批量生长的缺陷,不仅具有优异的压电和热释电性能,而且具有更好的温度稳定性,具有广泛的应用前景,为本领域增添了一类新产品。 | ||
搜索关键词: | 一种 三元 系弛豫铁电单晶 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种三元系弛豫铁电单晶材料,其特征在于,晶体的化学组成为:xPb(In1/2Nb1/2)O3‑yPb(Mg1/3Nb2/3)O3‑(1‑x‑y)PbTiO3,简写为:xPIN‑yPMN‑(1‑x‑y)PT,其中x=0.1~0.45,y=0.1~0.5。
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