[发明专利]场发射单元及场发射像素管有效
申请号: | 201010564731.0 | 申请日: | 2010-11-29 |
公开(公告)号: | CN102013376A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 魏洋;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01J29/04 | 分类号: | H01J29/04;H01J31/12 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种场发射单元及场发射像素管,所述场发射像素管包括一壳体以及至少一场发射单元,所述至少一场发射单元置于壳体内,所述每一场发射单元包括至少一阴极,至少一荧光粉层和至少一阳极,该每一阴极与每一阳极之间对应间隔设置,该阴极包括一阴极支撑体与一电子发射体,该电子发射体一端与阴极支撑体电性连接,该每一荧光粉层对应设置于每一阳极上,其中,所述电子发射体包括一碳纳米管管状结构,所述碳纳米管管状结构的一端与所述阴极支撑体电连接,所述碳纳米管管状结构的另一端向所述阳极延伸作为电子发射端,所述碳纳米管管状结构为多个碳纳米管围绕一中空的线状轴心组成,所述碳纳米管管状结构的电子发射端延伸出多个电子发射尖端。 | ||
搜索关键词: | 发射 单元 像素 | ||
【主权项】:
一种场发射单元,其包括:一荧光粉层和一阳极,该阳极包括一端面,所述荧光粉层设置在该阳极端面上;一阴极,该阴极与阳极间隔设置,该阴极包括一阴极支撑体与一电子发射体,该电子发射体一端与阴极支撑体电性连接,其特征在于,所述电子发射体包括一碳纳米管管状结构,所述碳纳米管管状结构的一端与所述阴极支撑体电连接,所述碳纳米管管状结构的另一端向所述阳极延伸作为电子发射体的电子发射端,所述碳纳米管管状结构为多个碳纳米管围绕一中空的线状轴心组成,所述碳纳米管管状结构在电子发射端延伸出多个电子发射尖端。
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