[发明专利]NAND闪存的缓存系统及缓存方法有效
| 申请号： | 201010564892.X | 申请日： | 2010-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102012873A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 胡事民;白石 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G06F12/08 | 分类号： | G06F12/08 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100084 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种NAND闪存的缓存系统，包括：两级哈希存储模块101，读写接口模块104，页数据缓存组织模块102和块数据缓存组织模块103，所述页数据缓存组织模块102和块数据缓存组织模块103均连接所述两级哈希存储模块101和读写接口模块104，所述两级哈希存储模块101用于记录存储在缓存中的数据，所述页数据缓存组织模块102用于组织缓存中页数据缓存队列，所述块数据缓存组织模块103用于组织缓存中块数据缓存队列，所述页数据缓存组织模块102和块数据缓存组织模块103通过所述读写接口模块104读写闪存中的数据。本发明增强了闪存缓存系统对文件系统的适应性和可用性。 | ||
| 搜索关键词： | nand 闪存 缓存 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种NAND闪存的缓存系统，其特征在于，包括：两级哈希存储模块101，读写接口模块104，页数据缓存组织模块102和块数据缓存组织模块103，所述页数据缓存组织模块102和块数据缓存组织模块103均连接所述两级哈希存储模块101和读写接口模块104，所述两级哈希存储模块101用于记录数据在缓存中的存储位置信息，所述页数据缓存组织模块102用于组织缓存中页数据缓存队列，所述块数据缓存组织模块103用于组织缓存中块数据缓存队列，所述页数据缓存组织模块102和块数据缓存组织模块103通过所述读写接口模块104读写闪存中的数据。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010564892.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：超导导体的连接方法、及超导线圈
- 下一篇：锂电池
