[发明专利]二极管箝位式三电平电压源换流器损耗分析方法有效
| 申请号： | 201010565129.9 | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102013825A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 李广凯;赵成勇;徐政;刘军娜;许树楷 | 申请（专利权）人： | 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心;华北电力大学（保定）;浙江大学 |
| 主分类号： | H02M7/483 | 分类号： | H02M7/483 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510623 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明是一种二极管箝位式三电平电压源换流器(VoltageSourceConverter,VSC)损耗分析方法。包括有如下步骤：1）分析二极管箝位式三电平VSC的导通规律，建立绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT)的多项式损耗模型；2）将IGBT的导通压降和开关损耗表示成电流的二次多项式；3）采用多项式拟合的方法来计算器件的损耗。本发明采用多项式拟合的方法简单快速地计算损耗，在此基础上，分析损耗随着功率因数和调制度的变化情况，和不同的运行点各个器件的损耗分布情况，给器件参数的选择和热设计提供了依据，具有较大的实用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 箝位 电平 电压 换流 损耗 分析 方法 | ||
【主权项】：
一种二极管箝位式三电平电压源换流器损耗分析方法，其特征在于包括有如下步骤：1）分析二极管箝位式三电平电压源换流器的导通规律，建立IGBT的多项式损耗模型；2）将IGBT的导通压降和开关损耗表示成电流的二次多项式；3）采用多项式拟合的方法来计算器件的损耗。
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