[发明专利]硅外延片背面硅渣的处理方法无效
| 申请号： | 201010565429.7 | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102479679A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 赵丽霞;段姝凤;侯志义 | 申请（专利权）人： | 河北普兴电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅外延片背面的硅渣处理方法，其按照下述步骤进行：①准备干净的片盒、宽倒角边的的硅片和净化间专用的吸尘器；②将硅外延片放在上述片盒内，在强光灯下观察所述硅外延片背面的硅渣的状态，确定硅渣的区域；③打开净化间专用吸尘器对准待处理的硅外延片的背面，然后手持步骤①所述的硅片刮步骤②中所述的硅渣；④刮完一个区域后，刮其他有硅渣的区域，直至完全刮完后，清洗硅外延片。本发明的方法简单易行、所需的设备是常规的实验室设备；处理后的硅外延片背面的硅渣大部分被刮掉吸走，解决了光刻机吸不住硅外延片的问题，且所制备的光刻条宽均匀，提高了硅外延片光刻的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 背面 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种硅外延片背面的硅渣处理方法，其特征在于按照下述步骤进行：①准备干净的片盒、宽倒角边的的硅片和净化间专用的吸尘器；②将硅外延片放在上述片盒内，在灯照度不小于200klx的强光灯下观察所述硅外延片背面的硅渣的状态，确定硅渣的区域；③打开净化间专用的吸尘器对准待处理的硅外延片的背面，然后手持步骤①所述的硅片刮步骤②中所述的硅渣；④刮完一个区域后，刮其他有硅渣的区域，直至完全刮完后，清洗硅外延片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
