[发明专利]一种InP/ZnS核壳结构量子点及制备方法无效
| 申请号： | 201010565437.1 | 申请日： | 2010-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102031110A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 常津;郭伟圣;杨秋花;朱盛疆 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C09K11/70 | 分类号： | C09K11/70;C09K11/02 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300072 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种InP/ZnS核壳结构量子点的制备方法。本发明选用以醋酸铟或者三氯化铟作为铟源、以十一烯酸锌、脂肪酸锌或者长链脂肪酸锌作为锌源，无需真空抽气操作，在一个反应器中制备In3+与Zn2+摩尔比为1∶1～5∶1的In、Zn混合前体溶液，通过向反应液中滴加S前体溶液，反应制得InP/ZnS核壳结构量子点。本发明合成工艺简单，无需繁琐的抽真空操作，省去了再次添加用于包壳的锌源的步骤，所制的未包壳的InP量子点荧光量子产率为4～7.5％，所制InP/ZnS核壳结构量子点，其荧光发射峰在511-642nm之间可控调节，荧光发射峰半高宽为52～93nm，且荧光稳定性和量子效率相对于包壳前有明显提高，荧光量子产率达20～40％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 inp zns 结构 量子 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种InP/ZnS核壳结构量子点，其特征在于：荧光发射峰位的范围511～642nm，荧光发射峰半高宽为52～93nm。
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