[发明专利]用于相变存储器的纳米复合多层相变薄膜材料无效
| 申请号： | 201010566541.2 | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102117885A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 翟继卫;汪昌州;沈波;孙明成 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B32B9/00;B82Y30/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子材料技术领域，涉及一种用于相变存储器的纳米复合多层相变薄膜材料。本发明GeTe/Ge2Sb2Te5纳米复合多层相变薄膜材料中单层GeTe薄膜和单层Ge2Sb2Te5薄膜交替排列成多层薄膜结构，单层GeTe薄膜和单层Ge2Sb2Te5薄膜的厚度均为1~15nm。本发明薄膜材料结晶温度随周期中单层GeTe薄膜厚度的增加而升高，且基于GeTe/Ge2Sb2Te5纳米复合多层相变薄膜材料的相变存储单元可通过电脉冲来实现高阻态和低阻态之间的可逆转变；所述材料比Ge2Sb2Te5材料有更高的结晶温度，更好的非晶态热稳定性；更低的器件操作电压，从而具有更低的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 纳米 复合 多层 薄膜 材料 | ||
【主权项】：
一种用于相变存储器的GeTe/Ge2Sb2Te5纳米复合多层相变薄膜材料，其特征在于，所述GeTe/Ge2Sb2Te5纳米复合多层相变薄膜材料中单层GeTe薄膜和单层Ge2Sb2Te5薄膜交替排列成多层薄膜结构，所述单层GeTe薄膜的厚度为1～15nm，所述单层Ge2Sb2Te5薄膜的厚度为1～15nm。
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