[发明专利]致密W-Cu复合材料的低温制备方法有效
申请号: | 201010566861.8 | 申请日: | 2010-12-01 |
公开(公告)号: | CN102031411A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 沈强;陈平安;罗国强;张联盟;王传彬;李美娟;刘书萍 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | C22C9/00 | 分类号: | C22C9/00;C22C27/04;C22C1/04 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 王守仁 |
地址: | 430071 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供一种致密W-Cu复合材料的低温制备方法,该方法是;采用Zn粉作为添加剂,将W粉、Cu粉按照体积分数比为W=10.0%~75.0%,Cu=25.0%~90.0%,Zn占W-Cu总质量分的0.5%~2.0%进行三维混料,然后放入真空热压炉中,按指定真空热压烧结工艺进行真空热压烧结得到致密的W-Cu复合材料,所述真空热压烧结工艺为:真空度为1×10-3~1×10-4Pa,烧结温度为700℃~900℃,保温时间为1~4h,施加压力大小为80~200MPa。本发明可以在较低的烧结温度下获得致密度高的W-Cu复合材料,具有明显的工艺简单、成本低、成分调控范围广且精确等优点。 | ||
搜索关键词: | 致密 cu 复合材料 低温 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种致密W‑Cu复合材料的低温制备方法,其特征是采用包括以下步骤的方法:采用Zn粉作为添加剂,将W粉、Cu粉按照体积分数比为W=10.0%~75.0%,Cu=25.0%~90.0%,Zn占W‑Cu总质量分的0.5%~2.0%进行三维混料,然后放入真空热压炉中,按指定真空热压烧结工艺进行真空热压烧结得到致密的W‑Cu复合材料,所述真空热压烧结工艺为:真空度为1×10‑3~1×10‑4Pa,烧结温度为700℃~900℃,保温时间为1~4h,施加压力大小为80~200MPa。
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