[发明专利]形成光学平台的方法无效
| 申请号： | 201010567628.1 | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102479889A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 林益世;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/58 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种形成光学平台的方法，包括：提供衬底；利用干法刻蚀图形化所述衬底，形成凹槽；第一次氧化所述图形化的衬底，在图形化的衬底的表面以及凹槽的表面形成氧化膜；图形化所述凹槽底部的衬底和氧化膜，形成器件台、器件台两侧的通孔；第二次氧化所述衬底，在所述通孔的侧壁形成氧化膜；沉积金属，覆盖所述衬底上表面、下表面、凹槽底部和侧壁以及通孔侧壁的氧化膜。本发明利用干法刻蚀在衬底中形成凹槽，可以通过调整干法刻蚀中气体的压强，调整形成的凹槽的侧壁与底部的夹角，从而可以选择合适的压强，选择合适的凹槽的侧壁与底部的夹角，在多个凹槽内设置LED时，优化LED的二次光学效率，也就是减少LED的光能量的损失，节省能源。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 光学 平台 方法 | ||
【主权项】：
一种形成光学平台的方法，其特征在于，包括：提供衬底；利用干法刻蚀图形化所述衬底，形成凹槽；第一次氧化所述图形化的衬底，在图形化的衬底的表面以及凹槽的表面形成氧化膜；图形化所述凹槽底部的衬底和氧化膜，形成器件台、器件台两侧的通孔；第二次氧化所述衬底，在所述通孔的侧壁形成氧化膜；沉积金属，覆盖所述衬底上表面、下表面、凹槽底部和侧壁以及通孔侧壁的氧化膜。
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