[发明专利]形成栅极的方法有效
| 申请号： | 201010568297.3 | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102479693A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 卢炯平;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种形成栅极的方法，包括：提供衬底；在衬底表面形成栅介质层，在栅介质层表面形成氮化钨层，离衬底越远氮化钨层的含氮量越低，在氮化钨层表面形成硬掩膜层；图形化氮化钨层和硬掩膜层；以图形化后的硬掩膜层为掩膜湿法刻蚀去除部分图形化后的氮化钨层，形成顶部宽度大于底部宽度的氮化钨伪栅极，去除图形化后的硬掩膜层；形成介质层，覆盖栅介质层，介质层的表面与氮化钨伪栅极的表面相平；去除氮化钨伪栅极，形成栅极沟槽，栅极沟槽的顶部宽度大于底部宽度；在栅极沟槽内填充栅极材料，形成栅极。本发明工艺简单，避免形成空隙，或者至少可以减少形成的空隙；而且不会对衬底造成损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 栅极 方法 | ||
【主权项】：
一种形成栅极的方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成栅介质层，在所述栅介质层表面形成氮化钨层，离所述衬底越远所述氮化钨层的含氮量越低，在所述氮化钨层表面形成硬掩膜层；图形化所述氮化钨层和硬掩膜层；以所述图形化后的硬掩膜层为掩膜湿法刻蚀去除部分所述图形化后的氮化钨层，形成顶部宽度大于底部宽度的氮化钨伪栅极，去除所述图形化后的硬掩膜层；形成介质层，覆盖所述栅介质层，所述介质层的表面与所述氮化钨伪栅极的表面相平；去除所述氮化钨伪栅极，形成栅极沟槽，所述栅极沟槽的顶部宽度大于底部宽度；在所述栅极沟槽内填充栅极材料，形成栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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