[发明专利]一种使用金锡焊料预成型片的封装方法及金属加热盘有效
申请号: | 201010568407.6 | 申请日: | 2010-12-01 |
公开(公告)号: | CN102169839A | 公开(公告)日: | 2011-08-31 |
发明(设计)人: | 陈火 | 申请(专利权)人: | 烟台睿创微纳技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/48;H01L21/56;H01L21/00;H05B3/22 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 杨立 |
地址: | 264006 山东省烟台市烟台经济技*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明涉及一种使用金锡焊料预成型片的封装方法的装置,它包括金属加热盘和金属掩模板,金属加热盘上设有若干腔体,金属掩模板上设有与金属加热盘上的腔体相对应若干通孔,还提供一种使用金锡焊料预成型片的封装方法。本发明的有益效果是:把原来的一次封装工艺分解为两步工艺,即:预先对金锡焊料预成型片和金属盖板做共晶回流工艺;再用回流后带金锡焊料的金属盖板通过低温烧结还是平行缝焊的方式,完成与金属或陶瓷管座的气密性封装。这样,在预先对金锡焊料预成型片和金属盖板做共晶回流工艺时,就可以通过充分的还原反应,使金锡焊料表面氧化物得到最大程度的清除,从而为高可靠性的气密性封装打下基础。 | ||
搜索关键词: | 一种 使用 焊料 成型 封装 方法 金属 加热 | ||
【主权项】:
一种使用金锡焊料预成型片的封装方法,其特征在于:它包括以下步骤:步骤1:将金锡焊料预成型片进行清洗、烘干处理;步骤2:将金锡焊料预成型片固定连接在金属盖板预制件上; 步骤3:在金属加热盘腔体内,逐一放置连接有金锡焊料预成型片的金属盖板预制件;步骤4:将金属掩模板安装到金属加热盘上,并用螺丝固定;步骤5:将上述组装完成的金属加热盘放入PVD设备,溅射金属Ti,通过金属掩模板使金属Ti沉积在金属盖板预制件的腔体底面和四周侧面,使金锡焊料预成型片和金属盖板预制件做共晶回流工艺时,焊料不会流淌到金属盖板腔体内的镀金表面上;步骤6:取出金属加热盘,拆卸并移走金属掩模板;步骤7:将带有溅射金属Ti的金属盖板预制件的金属加热盘放置到真空共晶炉中回流,按照温升曲线,使金锡焊料预成型片与金属盖板预制件的表面金层产生共晶反应,使两者之间产生牢固的焊接;步骤8:将完成共晶反应的金属盖板预制件进行清洗、烘干处理; 步骤9:用带有已回流金锡焊料的金属盖板预制件,通过低温烧结或平行缝焊的方式,使金属盖板预制件上金锡焊料与陶瓷或金属管座上的金属层产生共晶反应,从而把金属盖板预制件密封焊接到陶瓷或金属外壳上,完成气密性封装。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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