[发明专利]增强n沟道电子活性的方法无效
| 申请号： | 201010568420.1 | 申请日： | 2010-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102487005A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 李敏;康芸 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种增强n沟道电子活性的方法，包括以下步骤：在n沟道位置的衬底上方的多晶硅栅多晶硅栅的周围形成补偿侧墙；形成主侧墙；进行源、漏植入；去除掉主侧墙；在衬底表层淀积一层张力层；去除掉衬底表层的所述张力层；对衬底表层进行非晶化处理；在多晶硅栅的顶部、源极和漏极分别形成硅化镍。本发明利用将张力层直接作用在去除了主侧墙保护层的多晶硅栅上，克服了现有技术中提高n沟道的张应力存在的技术瓶颈，从而有效的增强了n沟道中电子的活性。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 沟道 电子 活性 方法 | ||
【主权项】：
一种增强n沟道电子活性的方法，其特征在于，包括以下步骤：在n沟道位置的衬底上方的多晶硅栅的周围形成补偿侧墙；在所述补偿侧墙外侧形成主侧墙；进行源、漏植入；去除掉所述主侧墙；在衬底表层淀积一层张力层；对衬底进行退火处理；去除掉衬底表层的所述张力层；对衬底表层进行非晶化处理；在所述多晶硅栅的顶部、源极和漏极分别形成硅化镍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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