[发明专利]立式成膜装置及其使用方法有效

专利信息
申请号: 201010568506.4 申请日: 2010-11-26
公开(公告)号: CN102080219A 公开(公告)日: 2011-06-01
发明(设计)人: 松永正信;周保华;米泽雅人;长谷川雅之;长谷部一秀 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/458;C23C16/34;C23C16/52
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种立式成膜装置及其使用方法。该立式成膜装置的使用方法在不存在产品用被处理体的状态的处理容器内,进行用覆膜包覆处理容器的内壁的覆膜处理,接着,在收纳有保持了产品用被处理体的状态的保持构件的处理容器内,进行在产品用被处理体上形成规定的膜的成膜处理。在覆膜处理中,将第1处理气体和第2处理气体交替地供给到处理容器内且均不将第1处理气体和第2处理气体等离子化就供给到处理容器内。在成膜处理中,一边利用等离子体生成系统将第1处理气体和第2处理气体中的至少一种气体等离子化而供给到处理容器内一边将第1处理气体和第2处理气体交替地供给到处理容器内。
搜索关键词: 立式 装置 及其 使用方法
【主权项】:
一种立式成膜装置的使用方法,其中,上述成膜装置包括:能够保持真空的立式的处理容器;将多个被处理体以多层保持的状态保持在上述处理容器内的保持构件;设置在上述处理容器的外周且用于加热上述被处理体的加热器;用于向上述处理容器内供给第1处理气体的第1处理气体供给系统;用于向上述处理容器内供给第2处理气体的第2处理气体供给系统;安装于上述处理容器且用于将气体等离子化的等离子体生成系统;以及用于对上述处理容器内进行排气的排气系统;上述使用方法包括以下工序:在不存在产品用被处理体的状态的上述处理容器内,进行用覆膜包覆上述处理容器的内壁的覆膜处理,在此,将上述处理容器内的温度设定为覆膜温度,将上述第1处理气体和第2处理气体交替地供给到上述处理容器内且均不利用上述等离子体生成系统将上述第1处理气体和第2处理气体等离子化就供给到上述处理容器内,利用上述第1处理气体和第2处理气体之间的反应形成上述覆膜;接着,在收纳有保持着上述产品用被处理体的状态的上述保持构件的上述处理容器内,进行在上述产品用被处理体上形成规定的膜的成膜处理,在此,将上述处理容器内的温度设定为比上述覆膜温度低的成膜温度,一边利用上述等离子体生成系统将上述第1处理气体和第2处理气体中的至少一种气体等离子化一边将上述第1处理气体和第2处理气体交替地供给到上述处理容器内,利用上述第1处理气体和第2处理气体之间的反应形成上述规定的膜。
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