[发明专利]辅助侧墙的形成方法有效
| 申请号： | 201010569396.3 | 申请日： | 2010-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102487003A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 何永根 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/318;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种辅助侧墙的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅极；氧化所述衬底表面及栅极表面，在所述衬底表面以及栅极表面形成第一氧化层；对所述第一氧化层进行氮离子掺杂工艺；在所述第一氧化层上形成第二氧化层；刻蚀所述第二氧化硅层和第一氧化硅层在所述栅极的两侧形成辅助侧墙。本发明通过对第一氧化层进行氮化，使所述第一氧化层内尤其是上表面内形成氮化物，所述氮化物可以作为第二氧化层和第一氧化层的界面，用于判断刻蚀进程，避免因过刻蚀第一氧化层至衬底，对所述衬底造成损伤的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 辅助 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种辅助侧墙的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有栅极；氧化所述衬底表面及栅极表面，在所述衬底表面以及栅极表面形成第一氧化层；对所述第一氧化层进行氮离子掺杂工艺；在所述第一氧化层表面形成第二氧化层；刻蚀所述第二氧化硅层和第一氧化硅层在所述栅极两侧形成辅助侧墙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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