[发明专利]可深度冷却的半导体激光器装置及其密封装置无效
| 申请号： | 201010570383.8 | 申请日： | 2010-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN102055132A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 曹强;王如泉;罗鑫宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022;H01S5/024 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体激光器的密封装置，包括：真空帽，由顶部和侧壁构成，真空帽顶部上具有真空接口和插头座孔，真空帽侧壁下方具有向外延伸的下边沿，下边沿的下方具有一个凹槽，凹槽中塞有密封圈，真空帽侧壁上具有向外延伸的出光管，出光管的末端为出光口；基座，由基台和基座边沿构成，其中真空帽和基座可围成真空腔。本发明可形成密封良好的真空腔，防止低温下在激光管表面结露，能够使温度降得更低，有效避免温度漂移。本发明还提供了一种利用上述密封装置密封的激光器装置。 | ||
| 搜索关键词： | 深度 冷却 半导体激光器 装置 及其 密封 | ||
【主权项】：
半导体激光器的密封装置，其特征在于包括：真空帽，具有向外延伸的下边沿，下边沿的下方具有一个凹槽，凹槽中塞有密封圈；基座，通过密封圈与真空帽相接触，基座与真空帽一起围成真空腔。
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