[发明专利]缓冲高温工艺中薄膜局部应力释放的方法无效
| 申请号： | 201010570837.1 | 申请日： | 2010-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102487037A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 陈瑜;孙尧;罗啸 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种缓冲高温工艺中薄膜局部应力释放的方法，包括以下步骤：步骤一、在晶圆上沉积一层或多层膜结构；步骤二、进行涂胶、光刻、蚀刻，形成器件所需要的图形；步骤三、完成700℃以下的非高温工艺；步骤四、沉积一层或多层膜结构；步骤五、700℃以上高温激活掺杂离子；步骤六、湿法剥去高温工艺前所沉积的膜。本发明通过在高温工艺之前沉积一层或多层膜，由于此时沉积的薄膜覆盖于整个晶圆的表面，下层薄膜的内部应力的释放将加之于整片晶圆之上，因此不易出现膜层的剥离并形成缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲 高温 工艺 薄膜 局部 应力 释放 方法 | ||
【主权项】：
一种缓冲高温工艺中薄膜局部应力释放的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、在晶圆上沉积一层或多层膜结构；步骤二、进行涂胶、光刻、蚀刻，形成器件所需要的图形；步骤三、完成700℃以下的非高温工艺；步骤四、沉积一层或多层膜结构；步骤五、700℃以上高温激活掺杂离子；步骤六、湿法剥去高温工艺前所沉积的膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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