[发明专利]光电转换元件和光电转换元件制造方法

摘要

一个目的是通过逐步进行光电转换层的蚀刻，提供侧表面带不同锥角的光电转换元件。与pn光敏二极管相比，pin光敏二极管具有高响应速度，但具有大的暗电流缺陷。暗电流的一个原因被认为是通过在蚀刻中生成并沉积在光电转换层侧表面上的蚀刻残余的导电。通过形成一种结构，其中常规具有均匀表面的侧表面具有两个不同锥形，以便光电转换层具有不在同一平面的p层侧表面和n层侧表面，降低了光电转换元件的泄露电流。

主权项

一种光电转换元件，包括：导电层；以及在所述导电层上的光电转换层，所述光电转换层包括第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层的堆叠层，其中在所述导电层上的所述第一半导体层包含一种导电类型的杂质元素，其中在所述第一半导体层上形成所述第二半导体层，其中在所述第二半导体层上的所述第三半导体层包含与所述第一半导体层中杂质元素相反导电类型的杂质元素，其中所述光电转换层的侧表面包括带第一锥角的表面和带第二锥角的表面，其中带所述第一锥角的所述表面包括所述第一半导体层的侧表面和所述第二半导体层的侧表面，其中带所述第二锥角的所述表面包括所述第三半导体层的侧表面，以及其中带所述第一锥角的所述表面和带所述第二锥角的所述表面具有不同的锥角。