[发明专利]预处理装置及其预处理方法无效
| 申请号： | 201010571397.1 | 申请日： | 2010-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102487101A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 李一成 | 申请（专利权）人： | 理想能源设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 英属维京群岛托*** | 国省代码： | 维尔京群岛;VG |
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| 摘要： | 本发明提供了一种预处理装置及其预处理方法，所述预处理装置包括：处理腔，设置于所述处理腔内用于承载待加热工件的基座；与所述待加热工件相对设置并位于所述待加热工件上方的第一加热单元；设置于基座周围的补偿加热单元，用于补偿加热所述待加热工件的边缘区域。本发明中设置于基座周围的补偿加热单元，具有高度的指向性，可以用于补偿加热待加热工件的边缘区域，从而改善待加热工件表面各处的加热均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 预处理 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种预处理装置，其特征在于，包括：处理腔，设置于所述处理腔内用于承载待加热工件的基座；与所述待加热工件相对设置并位于所述待加热工件上方的第一加热单元；设置于基座周围的补偿加热单元，用于补偿加热所述待加热工件的边缘区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
