[发明专利]提高金属栅化学机械平坦化工艺均匀性的方法有效

专利信息
申请号: 201010571656.0 申请日: 2010-11-29
公开(公告)号: CN102479695A 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: 杨涛;赵超;陈大鹏 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L21/28 分类号: H01L21/28;H01L21/3213;H01L21/321
代理公司: 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 代理人: 陈红
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种提高金属栅化学机械平坦化工艺均匀性的方法,在进行针对金属层的化学机械平坦化工艺之前,采用一金属刻蚀工艺,使得相邻金属栅之间的金属层与金属栅正上方的金属层的高度落差大幅减小,从而在研磨过程中,高度落差不会传递至金属栅正上方的金属层,极大地减小金属栅顶部的凹陷,得到了具有平坦顶部的金属栅,从而提高器件电学性能和成品率。
搜索关键词: 提高 金属 化学 机械 平坦 化工 均匀 方法
【主权项】:
一种提高金属栅化学机械平坦化工艺均匀性的方法,包括:提供一衬底,所述衬底上包括至少一个栅极结构;沉积金属层于所述衬底上,所述金属层至少能够完全填充所述栅极结构;对所述金属层进行化学机械平坦化处理,去除相邻的所述栅极结构之间的所述金属层,使所述金属层仅位于栅极结构中,从而形成金属栅;其特征在于:在进行所述化学机械平坦化处理之前,进行如下步骤:在沉积所述金属层之后,在所述衬底上涂覆光刻胶,通过光掩模进行曝光,形成一光刻胶图案,所述光刻胶图案覆盖所述栅极结构,而暴露出位于相邻的所述栅极结构之间的所述金属层;采用一刻蚀工艺,对暴露出的位于相邻的所述栅极结构之间的所述金属层进行刻蚀,所述刻蚀工艺的刻蚀深度不小于所述栅极结构的深度;在所述刻蚀工艺之后,填充于所述栅极结构的所述金属层的上表面与位于相邻的所述栅极结构之间的所述金属层的上表面之间的高度落差被减小;采用一去胶工艺,去除所述衬底上的所述光刻胶图案。
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