[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010571659.4 | 申请日： | 2010-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102479818A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 罗军;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件，包括衬底、位于衬底中的沟道区、位于沟道区两侧的源漏区、位于沟道区上的栅极结构、位于栅极结构周围的栅极侧墙，其特征在于：源漏区由外延生长的超薄金属硅化物构成，源漏区与沟道区的界面处具有掺杂离子的分离凝结区。依照本发明的半导体器件及其制造方法，可降低短沟道外延生长的超薄金属硅化物源漏MOSFET的肖特基势垒高度，从而提高器件驱动能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括衬底、位于所述衬底中的沟道区、位于所述沟道区两侧的源漏区、位于所述沟道区上的栅极结构、位于所述栅极结构周围的栅极侧墙，其特征在于：所述源漏区由外延生长的金属硅化物构成，所述源漏区与所述沟道区的界面处具有掺杂离子的分离凝结区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010571659.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有预定义角色点分布的光发射体
- 下一篇：搜索结果中的计算机应用数据
- 同类专利
- 专利分类
