[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201010571971.3 | 申请日： | 2010-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102142269A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 金载镒;李锺天 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;黄启行 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储装置，包括：第一数据输入/输出线，被配置为传输来自于第一存储体的数据；第二数据输入/输出线，被配置为传输来自于第一存储体的数据；第一数据输出部，被配置为基于输入/输出模式，将经由第一输入/输出线传输的数据对齐并输出；以及第二数据输出部，被配置为基于输入/输出模式和地址信号，将经由第一输入/输出线传输的数据或经由第二数据输入/输出线传输的数据对齐并输出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，包括：第一数据输入/输出线，所述第一数据输入/输出线被配置为传输来自于第一存储体的数据；第二数据输入/输出线，所述第二数据输入/输出线被配置为传输来自于所述第一存储体的数据；第一数据输出部，所述第一数据输出部被配置为基于输入/输出模式，将经由所述第一数据输入/输出线传输的数据对齐并输出；以及第二数据输出部，所述第二数据输出部被配置为基于所述输入/输出模式和地址信号，将经由所述第一数据输入/输出线传输的数据或经由所述第二数据输入/输出线传输的数据对齐并输出。
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