[发明专利]一种SOI横向绝缘栅双极型晶体管器件无效
| 申请号： | 201010572154.X | 申请日： | 2010-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102064192A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 方健;陈吕赟;柏文斌;王泽华;吴琼乐;管超;李文昌;于廷江;杨毓俊;黎俐 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/735;H01L29/10 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 周永宏 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SOI横向绝缘栅双极型晶体管器件，包括衬底、埋氧层、漂移区、第一阴极区、阴极体区、缓冲层、第一阳极区、第二阴极区、阴极金属电极、阳极金属电极、多晶硅栅、氧化层、衬底金属电极，在阳极端的阳极金属电极下表面位置向下延伸有第一槽，所述第一槽向下贯穿第一阳极区和缓冲层，第一槽靠中心侧从上到下依次为第一阳极区、缓冲层和漂移区，第一槽靠边缘侧从上到下依次为第二阳极区、缓冲层和漂移区，所述第一槽内淀积有第一槽氧化层，所述阳极金属电极向下延伸填充满第一槽本发明的有益效果是：在多晶硅栅下方增加的槽有效地避免了闩锁效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soi 横向 绝缘 栅双极型 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
一种S0I横向绝缘栅双极型晶体管器件，包括衬底(1)、埋氧层(2)、漂移区(3)、第一阴极区(4)、阴极体区(5)、缓冲层(6)、第一阳极区(7)、第二阴极区(8)、阴极金属电极(9)、阳极金属电极(10)、多晶硅栅(11)、氧化层(12)、衬底金属电极(13)，其特征在于，在阳极端的阳极金属电极(10)下表面位置向下延伸有第一槽(15)，所述第一槽(15)向下贯穿第一阳极区(7)和缓冲层(6)，第一槽(15)靠中心侧从上到下依次为第一阳极区(7)、缓冲层(6)和漂移区(3)，第一槽(15)靠边缘侧从上到下依次为第二阳极区(14)、缓冲层(6)和漂移区(3)，所述第一槽(15)内淀积有第一槽氧化层(16)，所述第一槽(15)内淀积有第一槽氧化层(16)，所述阳极金属电极(10)向下延伸填充满第一槽(15)；在阴极端的多晶硅栅(11)下表面位置向下贯穿氧化层(12)延伸有第二槽(17)，所述第二槽(17)向下贯穿第二阴极区(8)和阴极体区(5)，第二槽(17)靠中心侧为漂移区(3)，第二槽(17)靠边缘侧从上到下依次为第二阴极区(8)、阴极体区(5)和漂移区(3)，所述第二槽(17)内淀积有第二槽氧化层(18)，所述多晶硅栅(11)向下延伸填充满第二槽(17)。
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