[发明专利]基于硅MEMS敏感结构融合光学检测技术的微光机电传感器及其应用方法无效

专利信息
申请号: 201010572268.4 申请日: 2010-12-03
公开(公告)号: CN102060259A 公开(公告)日: 2011-05-18
发明(设计)人: 陈丽洁;王伟;史鑫;栾剑;郇帅 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;B81B3/00
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 张宏威
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 基于硅MEMS敏感结构融合光学检测技术的微光机电传感器及其应用方法,属于传感器领域,本发明为解决目前的普通微机电传感器检测精度低、灵敏度低的问题。本发明的硅基MEMS敏感结构包括硅微芯片和基座,硅微敏感芯片倒置固定在基座的上面,硅微敏感芯片的敏感区域与基座的凹槽的镂空位置对应,硅基MEMS敏感结构的敏感区域设置有光学金属反射镜,基座与光纤固定座连接,光纤固定座设置两个光纤槽并分别固定入、反射光纤,两束光交于光学金属反射镜的反射面上,信号处理电路发出的光信号通过入射光纤发射至光学金属反射镜的反射面,反射光纤接收该光学金属反射镜反射的光信号并输入给信号处理电路。
搜索关键词: 基于 mems 敏感 结构 融合 光学 检测 技术 微光 机电 传感器 及其 应用 方法
【主权项】:
基于硅MEMS敏感结构融合光学检测技术的微光机电传感器,其特征在于:它包括硅基MEMS敏感结构、光纤固定座(4)、入射光纤(5)、反射光纤(6)和信号处理电路(7),所述硅基MEMS敏感结构包括硅微敏感芯片(1)、基座(2)和光学金属反射镜(3),硅微敏感芯片(1)倒置固定在基座(2)的上面,硅微敏感芯片(1)的敏感区域与基座(2)的凹槽的镂空位置上下对应,所述硅微敏感芯片(1)设置有光学金属反射镜(3),基座(2)与光纤固定座(4)固定连接,光纤固定座(4)设置有两个光纤槽,两个光纤槽内分别固定入射光纤(5)和反射光纤(6),所述入射光纤(5)的光信号入射光轴和反射光纤(6)的光信号反射光轴相交硅微敏感芯片(1)的光学金属反射镜(3)上,信号处理电路(7)发出的光信号通过入射光纤(5)发射至光学金属反射镜(3),反射光纤(6)接收该光学金属反射镜(3)反射的光信号并输入给信号处理电路(7)。
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