[发明专利]非晶硅热敏薄膜及非制冷非晶硅微测辐射热计的制备方法无效
申请号: | 201010572668.5 | 申请日: | 2010-11-29 |
公开(公告)号: | CN102479879A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 姚日英;王祝山 | 申请(专利权)人: | 比亚迪股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;G01J5/20;C23C16/24;C23C16/56 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 南毅宁;周建秋 |
地址: | 518118 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明针对现有技术中在制备非制冷红外探测器中的热敏薄膜的过程中,PECVD方法的工艺窗口狭窄、形成热敏薄膜的过程中易导致工艺波动的缺陷,提供了一种非晶硅热敏薄膜的制备方法以及非制冷非晶硅微测辐射热计的制备方法,能够提供宽的工艺窗口并克服热敏薄膜制备过程中的工艺波动。一种非晶硅热敏薄膜的制备方法,该方法包括:将晶圆放入等离子增强化学气相淀积反应腔中,对所述晶圆进行本征非晶硅薄膜淀积;对淀积后的本征非晶硅薄膜进行注入掺杂。 | ||
搜索关键词: | 非晶硅 热敏 薄膜 制冷 非晶硅微测 辐射热 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种非晶硅热敏薄膜的制备方法,该方法包括:将晶圆放入等离子增强化学气相淀积反应腔中,对所述晶圆进行本征非晶硅薄膜淀积;对淀积后的所述本征非晶硅薄膜进行注入掺杂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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