[发明专利]激光毁伤硅基探测器的测量方法和装置无效
| 申请号： | 201010573136.3 | 申请日： | 2010-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN102156135A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 徐立君;蔡红星;李昌立;谭勇;周鸣岐;金光勇;张喜和 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | G01N21/956 | 分类号： | G01N21/956;G01R31/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 光电探测器是光电检测系统的核心部件，在一些特殊的场合，光电传感器经常要与激光光源配合使用，因而不可避免地存在激光对光电传感器的破坏问题。本发明属光电测试领域，提供了一种激光毁伤硅基探测器的测量方法和装置。根据强激光辐照前后探测器表面形貌、光电流、暗电流以及响应度的变化，判断激光对探测器损伤程度。以前对激光辐照探测器的研究，主要侧重于损伤阈值和损伤机理，对于定量研究探测器损伤过程中暗电流、光电流及响应度变化没有被报道。本发明能够在线检测探测器损伤过程中电学参量及表面形貌的变化，具有全面、准确、方便等优点，适用于硅基单元探测器的损伤检测以及激光诱导探测器的损伤机理研究。可以应用到激光加工、光学部件质量检测、激光器的研制等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 毁伤 探测器 测量方法 装置 | ||
【主权项】：
一种激光毁伤硅基探测器的测量方法和装置，由激光辐照系统，CCD成像系统，电流检测系统组成。激光辐照系统可以输出不同功率密度的强激光，对探测器进行辐照；电流检测系统能检测探测器对参考光的光电流和暗电流；CCD成像系统能对激光损伤前后探测器表面形貌进行成像。通过对激光辐照前后探测器表面形貌和响应性能的比较，判断强激光对探测器的损伤情况。
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