[发明专利]半导体光调制器有效
| 申请号： | 201010573435.7 | 申请日： | 2006-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN102033333A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 都筑健;菊池顺裕;山田英一 | 申请（专利权）人： | 日本电信电话株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/017 | 分类号： | G02F1/017 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;王艳春 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种具有n-i-n结构半导体光调制器的特点、又能稳定工作，而且对电场的耐压性优良的半导体光调制器。其包括依次层叠n型InP包层(11)、具有电光效应的半导体芯层(13)、p-InAlAs层(15)、以及n型InP包层(16)而形成的波导结构。p-InAlAs层(15)的电子亲和力小于n型InP包层(16)的电子亲和力。在如此构成的波导结构中，还可以分别在n型InP包层(11)和半导体芯层(13)之间设置未掺杂的InP包层(12)，在半导体芯层(13)和p-InAlAs层(15)之间设置未掺杂的InP包层(14)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 调制器 | ||
【主权项】：
半导体光调制器，具有：依次层叠第一n型半导体包层、半导体芯层、半绝缘型的半导体包层、和第二n型半导体包层而形成的光波导结构，其特征在于，包括：至少1个p型半导体区域，其为具有p型导电性的区域，并且形成于在所述波导结构的光行进方向上具有一定长度区间的、至少所述第二n型半导体包层的一部分或全部上；以及电极，形成于所述p型半导体区域之上，并电连接到所述p型半导体区域。
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