[发明专利]电压转换器及包括电压转换器的系统有效
申请号: | 201010573584.3 | 申请日: | 2010-11-22 |
公开(公告)号: | CN102184920A | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
发明(设计)人: | D·A·格德哈;F·希伯特 | 申请(专利权)人: | 英特赛尔美国股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L21/8234;H02M3/155 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 电压转换器包括具有可在单个管芯(即“功率管芯”)上形成且通过半导体衬底彼此连接的高侧器件和低侧器件的输出电路。高侧器件和低侧器件两者都可包括横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管。因为两个输出晶体管包括相同类型的晶体管,该两个器件可同步形成,从而比其他电压转换器设计减少光刻掩模的数量。该电压转换器可进一步包括在不同管芯上的控制器电路,其可以与功率管芯电耦合以及共同封装。 | ||
搜索关键词: | 电压 转换器 包括 系统 | ||
【主权项】:
一种电压转换器器件,包括:半导体管芯,其包括电路侧和非电路侧;高侧横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)场效应管(FET),其在所述半导体管芯的所述电路侧上;所述高侧LDMOS FET的源极区;低侧LDMOS FET,其在所述半导体管芯的所述电路侧;所述低侧LDMOS FET的漏极区,其与所述高侧LDMOS FET的源极区电耦合;以及输出级,其中所述输出级电连接到所述高侧LDMOS FET的所述源极区和所述低侧LDMOS FET的所述漏极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的