[发明专利]场效应晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 201010573810.8 | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102479820A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 刘明;韩买兴;姬濯宇;商立伟;刘欣;王宏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管包括：衬底，包括背栅材料和绝缘介质层；石墨烯沟道区，形成于绝缘介质的上方；源/漏接触电极，形成于绝缘介质层的上方，石墨烯沟道区的两侧，源接触电极和漏接触电极分别与石墨烯沟道区接触。由于石墨烯材料具有巨大的载流子迁移率，本发明利用石墨烯作为沟道区材料的场效应晶体管可以大幅度提高场效应晶体管的速度。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底，包括背栅材料和绝缘介质层；石墨烯沟道区，形成于所述绝缘介质层的上方；源/漏接触电极，形成于所述绝缘介质层的上方，所述石墨烯沟道区的两侧，所述源接触电极和漏接触电极分别与所述石墨烯沟道区接触。
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