[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201010574353.4 | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102479821A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;梁擎擎;骆志炯;尹海洲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括：半导体基体，所述半导体基体位于绝缘层上，且所述绝缘层位于半导体衬底上；源漏区，其接于所述半导体基体的两个相对的第一侧面；栅极，其位于所述半导体基体的两个相对的第二侧面上；以及背栅，其位于所述半导体衬底上并嵌于所述绝缘层和所述半导体基体中。根据本发明，利于减小半导体器件中的短沟道效应、源漏区电阻及寄生电容，并可调节半导体器件的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体基体，所述半导体基体位于绝缘层上，且所述绝缘层位于半导体衬底上；源漏区，所述源漏区接于所述半导体基体的相对的第一侧面；栅极，所述栅极位于所述半导体基体的相对的第二侧面上；以及背栅，所述背栅位于所述半导体衬底上并嵌于所述绝缘层和所述半导体基体中。
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