[发明专利]面向ZnO压电传感器制造的介电泳装配方法无效
| 申请号： | 201010574712.6 | 申请日： | 2010-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN102485641A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 田孝军;许可;董再励 | 申请（专利权）人： | 中国科学院沈阳自动化研究所 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;H01L41/053;H01L41/22;G01L1/16 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 俞鲁江 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及纳米操作领域，公开一种面向ZnO压电传感器制造的介电泳装配方法。将酒精分析纯溶液与ZnO混合，经超声振荡和脉冲后，实现ZnO有效分散，即完成预处理。再利用介电泳技术实现对ZnO在微电极上的有效可控装配。本发明提出的方法，对ZnO所具有的物理、化学性质不会产生任何破坏，可操作性与可重复性强，为ZnO压电传感器的制造提供了新的可行技术途径。 | ||
| 搜索关键词： | 面向 zno 压电 传感器 制造 电泳 装配 方法 | ||
【主权项】：
一种面向ZnO压电传感器制造的介电泳装配方法,其特征在于：利用ZnO纳米线作为敏感元件，利用ZnO纳米线表面受到外力的作用下时会发生机械变形，形成压电效应而产生表面电荷，通过测量电荷电势的大小准确辨别受到外力的大小，利用介电泳技术实现单根和多根ZnO纳米线准确装配到源极和漏极之间。
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