[发明专利]射频多同轴高密度集束连接器

摘要

本发明涉及一种射频多同轴高密度集束连接器，其实现了射频同轴连接器的高密度集成，具有较高的机械可靠性和优良的电气性能。本发明包括公插头和母插头，其特征在于：公插头的外导体内壁前端设置有三个不对称的凸键，内壁中心均匀分布有在同一包络圆上的多个同轴传输通道，在均匀分布的多个同轴传输通道内均设置有对应的绝缘介质和公插头的内导体，母插头的外导体的接触外圆上设置有与凸键进行适配的三个不对称的凹槽，母插头的外导体的同轴通道内均设置有母插头的内导体、绝缘介质和小外壳，接触头环绕于小外壳口部外圆，母插头的连接螺套通过卡环与母插头的外导体连接，公插头与母插头之间设置有密封圈。

主权项

一种射频多同轴高密度集束连接器，其特征在于：包括公插头（1）和母插头（2），其特征在于：公插头（1）的外导体（5）内壁前端设置有三个不对称的凸键，内壁中心均匀分布有在同一包络圆上的多个同轴传输通道，在均匀分布的多个同轴传输通道内均设置有对应的绝缘介质（4）和公插头的内导体（3），母插头的外导体（10）的接触外圆上设置有与凸键进行适配的三个不对称的凹槽，母插头的外导体（10）的同轴通道内均设置有母插头的内导体（6）、绝缘介质（7）和小外壳（9），接触头（8）环绕于小外壳（9）口部外圆，母插头的连接螺套（12）通过卡环与母插头的外导体（10）连接，公插头（1）与母插头（2）之间设置有密封圈（11）。