[发明专利]含萘[1,2-c:5,6-c]二[1,2,5]噻二唑的有机半导体材料及其应用

摘要

本发明涉及含萘[1，2-c：5，6-c]二[1，2，5]噻二唑的有机半导体材料及其应用。所述有机半导体材料可通过将萘[1，2-c：5，6-c]二[1，2，5]噻二唑卤化后得到的卤化衍生物与含芳香基团结构的单体在金属催化剂下反应制得，芳香基团与萘[1，2-c：5，6-c]二[1，2，5]噻二唑单元以共轭方式连接。该类有机半导体材料的具体特征是含有3，7位取代修饰的萘[1，2-c：5，6-c]二[1，2，5]噻二唑化学基团。由于萘[1，2-c：5，6-c]二[1，2，5]噻二唑具有良好的吸电子能力以及平面性，这类有机半导体材料可以很好的调节光电性质，具有良好的光电性能，可应用于有机光电器件领域。

主权项

1.一种含萘[1，2-c：5，6-c]二[1，2，5]噻二唑结构的有机半导体材料，其特征在于所述有机半导体材料结构式为：其中Ar为芳香基团；x、y分别为所述有机半导体材料中芳香基团Ar与萘[1，2-c：5，6-c]二[1，2，5]噻二唑单元的相对含量；芳香基团Ar与萘[1，2-c：5，6-c]二[1，2，5]噻二唑单元以共轭方式连接；n为所述有机半导体材料的聚合度。