[发明专利]一种SiO2-ZnO纳米棒阵列复合电极的制备方法无效
| 申请号： | 201010575304.2 | 申请日： | 2010-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102005304A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 张跃;秦子;黄运华;廖庆亮;张铮 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01G9/04 | 分类号： | H01G9/04;H01G9/20;H01M14/00;H01L51/48 |
| 代理公司： | 北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙) 11296 | 代理人： | 刘淑芬 |
| 地址： | 100083 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米材料技术领域，涉及一种SiO2-ZnO纳米棒阵列复合电极的制备方法。其特征在于：利用水热法制备的ZnO纳米棒阵列作为复合电极基础层；选取旋转涂覆氧化硅溶胶法作为制备SiO2-ZnO纳米棒阵列复合涂层的方法；通过对溶胶的浓度、涂覆层数、烧结次数的调整可合理控制SiO2薄膜涂层的厚度，从而实现对复合电极性能的调控。本发明通过涂覆氧化硅保护层来提高氧化锌纳米棒阵列电极在酸性染料中的耐腐蚀方法，制备出一种适用于基于酸性染料的染料敏化太阳能电池的SiO2-ZnO纳米棒阵列复合阳极。具有性能稳定、耐酸性强、制备方法简单、成本低、效率高、面积可调范围广以及适合工业生产等许多优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sio sub zno 纳米 阵列 复合 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种SiO2‑ZnO纳米棒阵列复合电极的制备方法，其特征在于，制备工艺步骤为：a.等摩尔数的硝酸锌和六次甲基四胺溶解于去离子水中配制成浓度为0.05～0.2M的反应溶液；b.将载有ZnO薄膜晶种层的导电基底作为生长基底，放入反应溶液中在80～100℃下反应12～24小时，从而获得ZnO纳米棒阵列电极；c.将氧化硅溶胶超声处理15分钟后，用旋转涂覆法将涂覆于ZnO纳米棒阵列电极表面，经过热处理后得到SiO2‑ZnO纳米棒阵列复合电极。
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