[发明专利]光刻用防尘薄膜组件无效
申请号: | 201010575683.5 | 申请日: | 2010-11-30 |
公开(公告)号: | CN102081299A | 公开(公告)日: | 2011-06-01 |
发明(设计)人: | 白崎享;福田健一 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 光刻用防尘薄膜组件10,具有防尘薄膜组件框架3和贴附于防尘薄膜组件框架3的一个端面的防尘薄膜1以及形成在防尘薄膜组件框架3的另一端面的粘接层4。并且,粘接层4是通过固化含有在主链上具有全氟结构的直链全氟化合物的固化组成物而形成的。由此构成的防尘薄膜组件10,即使长期使用,所发生的分解气体的量也很少,能够防止在光掩模5的图案区域内析出固体异物。同时,能够抑制将光掩模5固定在防尘薄膜组件框架3上的粘接层中所含粘接剂的老化。此外,这种防尘薄膜组件10能够容易地从光掩模5上剥离下来,更换新的防尘薄膜组件10。 | ||
搜索关键词: | 光刻 防尘 薄膜 组件 | ||
【主权项】:
一种光刻用防尘薄膜组件,具有防尘薄膜组件框架、贴附于所述防尘薄膜组件框架的一个端面上的防尘薄膜以及形成在所述防尘薄膜组件框架另一端面上的粘接层,其特征在于,所述粘接层是通过固化含有在主链上具有全氟结构的直链全氟化合物的固化性组合物而形成的。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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