[发明专利]带有很高的衬底-栅极击穿和嵌入式雪崩箝位二极管的横向超级结器件有效
| 申请号： | 201010576533.6 | 申请日： | 2010-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102104073A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 马督儿·博德;管灵鹏;安荷·叭剌;哈姆扎·依玛兹 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/80 | 分类号： | H01L29/80;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423;H01L21/335;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址： | 美国加利福尼亚940*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带有很高的衬底-栅极击穿和嵌入式雪崩箝位二极管的横向超级结器件，在位于N+衬底上的P-外延层上方，通过堆积式交替的P型和N型半导体层，构成一个横向超级结JFET。N+漏极立柱向下延伸，穿过超级结结构和P-外延层，连接到N+衬底，从而构成一个底部漏极器件。N+源极立柱和P+栅极立柱穿过超级结延伸，但是在P-外延层终止。从底部P+栅极立柱开始，穿过P-外延层，到N+漏极衬底，形成一个栅极-漏极雪崩箝位二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 衬底 栅极 击穿 嵌入式 雪崩 箝位二极管 横向 超级 器件 | ||
【主权项】：
一个半导体功率器件，包括：一个含有超级结结构的半导体衬底，所述的超级结结构设置在所述的半导体衬底的顶面附近，其中所述的超级结结构是由多个第一和第二导电类型交替的横向堆积层构成的，从源极立柱横向延伸到漏极立柱，其中所述的源极立柱和漏极立柱为第一导电类型，向下延伸穿过所述的超级结结构；以及一个第二导电类型的栅极立柱，向下延伸穿过所述的超级结结构，以便在超级结结构上加载电压，以控制在所述的源极和所述的漏极立柱之间，横向穿过所述的超级结结构的电流；以及半导体衬底还包括一个第一导电类型的底部半导体层，其中所述的漏极立柱向下延伸，连接到所述的底部半导体层。
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