[发明专利]低压可调节带隙基准源的电路有效
| 申请号： | 201010576681.8 | 申请日： | 2010-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102541145A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 唐成伟 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/30 | 分类号： | G05F3/30 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低压可调节带隙基准源的电路，三个PNP三级管的集电极和基极接地，第一PNP三级管的发射极与第一电阻的一端相连接，第一电阻的另一端与运算放大器的正向输入端和第一PMOS晶体管的漏极相连接，第二PNP三级管的发射极接运算放大器的反向输入端和第二PMOS晶体管的漏极，第三PNP三级管的发射极与第二电阻的一端相连接，第二电阻的另一端接第三PMOS晶体管的漏极和第三电阻的一端，第三电阻的另一端接地，运算放大器的输出端与三个PMOS晶体管的栅极相连接，三个PMOS晶体管的源极接电源。本发明能实现可配置的参考输出电压，避免运放的失调电压对启动电路的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 低压 调节 基准 电路 | ||
【主权项】：
一种低压可调节带隙基准源的电路，其特征在于：包括，三个PNP三极管(Q0、Q1、Q2)，运算放大器(A1)，由三个PMOS晶体管(MP0、MP1、MP2)构成的电流镜；三个PNP三级管(Q0、Q1、Q2)的集电极和基极接地；第一PNP三级管(Q0)的发射极与第一电阻(R0)的一端相连接，第一电阻(R0)的另一端与运算放大器(A1)的正向输入端和第一PMOS晶体管(MP0)的漏极相连接；第PNP三级管(Q1)的发射极接运算放大器(A1)的反向输入端和第二PMOS晶体管(MP1)的漏极；第三PNP三级管(Q2)的发射极与第二电阻(R1)的一端相连接，第二电阻(R1)的另一端接第三PMOS晶体管(MP2)的漏极和第三电阻(R2)的一端，第三电阻(R2)的另一端接地；第二电阻(R1)与第三电阻(R2)和第三PMOS晶体管(MP2)的漏极的连接端作为电路的输出端；运算放大器(A1)的输出端与三个PMOS晶体管(MP0、MP1、MP2)的栅极相连接，三个PMOS晶体管(MP0、MP1、MP2)的源极接电源。
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