[发明专利]降低传感器暗电流的CCD制作方法

摘要

本发明提出了一种降低传感器暗电流的CCD制作方法，在形成放大器源漏和连接通孔工艺两个步骤之间插入吸杂工艺，吸杂工艺的处理步骤为：1）利用扩散炉在温度800℃的条件下，氮气处理4小时，氮气流量9L/min；2）利用扩散炉在温度600℃的条件下，氮气处理10小时，氮气流量9L/min；本发明的吸杂工艺更加靠近工艺末端，可有效的除去由前面工艺所引入的重金属离子杂质；相对现有技术中采用外延硅片制作CCD的方法，本发明方法增加了吸杂工艺，进一步地提高了CCD成品的品质；在相同工艺条件下，本发明方法制作出的器件，其暗电流得到了有效降低。

主权项

一种降低传感器暗电流的CCD制作方法，采用外延硅片制作CCD的工艺步骤中包含了形成放大器源漏（407）和连接通孔工艺（409）两个顺次连接的步骤，其特征在于：在形成放大器源漏（407）和连接通孔工艺（409）两个步骤之间插入吸杂工艺（408），吸杂工艺（408）的处理步骤为：1）利用扩散炉在温度800℃的条件下，氮气处理4小时，氮气流量9L/min；2）利用扩散炉在温度600℃的条件下，氮气处理10小时，氮气流量9L/min。