[发明专利]氢氟酸处理系统无效
| 申请号： | 201010578137.7 | 申请日： | 2010-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102569008A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 杨龙;殷建伟 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氢氟酸处理系统，包括反应器、延伸入所述反应器内的电极、手动阀及与所述反应器连接并延伸入反应器内的管道，所述手动阀设于所述管道上用于控制所述管道内的流体，所述管道上还设有一电磁阀及一时间控制装置，所述时间控制装置与所述电磁阀连接。相较于现有技术，本发明所述的氢氟酸处理系统通过在手动阀后面增设了电磁阀及时间控制装置，实现了对电极的自动定时冲洗，减少了人工操作，也延长电极的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 氢氟酸 处理 系统 | ||
【主权项】：
一种氢氟酸处理系统，包括反应器、延伸入所述反应器内的电极、手动阀及与所述反应器连接并延伸入反应器内的管道，所述手动阀设于所述管道上用于控制所述管道内的流体，其特征在于：所述管道上还设有一电磁阀及一时间控制装置，所述时间控制装置与所述电磁阀连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
