[发明专利]一种碳纳米管阵列光阴极材料及其制备方法和应用无效
| 申请号： | 201010578456.8 | 申请日： | 2010-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102122579A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 蔡锋石;袁志好;段月琴;杜学丽;王菁 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042;H01G9/20;H01M14/00;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市南*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种碳纳米管阵列光阴极材料，以耐腐蚀的金属片为基底，在该基底表面制备有碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列竖直于基底，直径为(10-30)nm，长度为(1-3)μm。其制备方法是：利用磁控溅射等方法在金属片基底上镀一层催化剂薄膜；对镀了催化剂的基底进行还原；导入乙烯气体，冷却后制得碳纳米管阵列产物；放入紫外臭氧发生器中暴露后即可制得。该碳纳米管阵列光阴极材料，可应用于染料敏化太阳能电池。本发明的优点是采用碳纳米管阵列替代贵金属Pt、金属基底替代导电玻璃作为DSSC的光阴极，可有效地增大电解质与电极间的电荷转移，改善以TCO为基底的导电性能，减小电池内阻，降低成本，显示出潜在的替代Pt光阴极的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 阵列 阴极 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种碳纳米管阵列光阴极材料，其特征在于：以耐腐蚀的金属片为基底，在该基底表面制备有碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列竖直于基底，直径为(10‑30)nm，长度为(1‑3)μm。
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