[发明专利]纳米光栅沉积特性三维分析方法无效
| 申请号： | 201010578795.6 | 申请日： | 2010-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102033996A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 张文涛;熊显名;朱保华;黄静;蒋曲博 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;G01B11/02 |
| 代理公司： | 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 | 代理人： | 罗玉荣 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种纳米光栅沉积特性三维分析方法，(1)建立激光驻波场与中性原子相互作用的三维模型；(2)利用数值方法，通过设定适当步长的四阶Runge-Kutta算法，求解中性原子在三维空间的位置坐标，从而获得激光驻波场作用下中性原子的三维运动轨迹和沉积过程仿真；(3)利用累计算法，实现中性原子在激光驻波场作用下的三维沉积过程仿真，获得纳米光栅三维沉积条纹的对比度与半高宽特性，实现最优化的激光驻波场参数选择，得到最细化的纳米光栅沉积条纹三维仿真。该方法可用于分析沉积纳米光栅的基本特性。与一维、二维分析方法相比，该发明所采用的三维分析方法更细致、更本质、对实际应用更有指导意义。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 光栅 沉积 特性 三维 分析 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米光栅沉积特性三维分析方法，其特征是：包括如下步骤：(1)建立激光驻波场与中性原子相互作用的三维模型：设激光驻波场作用下中性原子偶极势为U，中性原子的总能量为Eo，m为原子质量，则处于激光驻波场作用下中性原子的运动方程可表示为：![]()
从而建立中性原子运动轨迹的三维仿真模型；(2)利用数值方法，通过设定适当步长的四阶Runge-Kutta算法，求解中性原子在三维空间的位置坐标，从而获得激光驻波场作用下中性原子的三维运动轨迹和沉积过程仿真；(3)利用累计算法，实现中性原子在激光驻波场作用下的三维沉积过程仿真，获得纳米光栅三维沉积条纹的对比度与半高宽特性，以三维沉积条纹的半高宽和对比度作为优化激光驻波场参数的反馈条件，实现最优化的激光驻波场参数选择，得到最细化的纳米光栅沉积条纹三维仿真。
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