[发明专利]用于GaN功率器件的对位标记的制作方法有效
| 申请号： | 201010579122.2 | 申请日： | 2010-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102064122A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 王勇;秘瑕;周瑞;赵金霞;张志国;蔡树军 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 夏素霞 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于GaN功率器件的对位标记及其制备方法，属于半导体器件的加工领域。所述用于GaN功率器件的对位标记包括位于GaN基片上的一次金属对位标记和二次金属对位标记，所述一次金属对位标记的金属与所述GaN功率器件的漏源金属相同；所述二次金属对位标记的金属层为钛层、铂层和金层，或者为钛层、钼层和金层。其制作步骤为：①利用高温合金工艺前的任一工艺在GaN基片上制作出一次金属对位标记；②利用所述一次对位标记在GaN基片上制作二次金属对位标记；③对GaN基片在800℃-1000℃进行高温合金。采用本发明提高了非接触光刻栅工艺的套刻精度，从而提高GaN功率器件的直流性能、射频性能及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 gan 功率 器件 对位 标记 制作方法 | ||
【主权项】：
一种用于GaN功率器件对位标记的制作方法，其特征在于包括下述步骤：①利用高温合金工艺前的任一工艺在GaN基片上制作出一次金属对位标记；②利用所述一次金属对位标记在GaN基片上制作二次金属对位标记；③将GaN基片在800℃‑1000℃进行高温合金工艺；所述二次金属对位标记的金属层从GaN基片往上依次为钛层、铂层和金层，或者为钛层、钼层和金层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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