[发明专利]用于在有机光电子器件中形成电互连的方法、用于制造有机光电子器件的方法以及有机发光器件有效
| 申请号： | 201010579211.7 | 申请日： | 2010-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102136549A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 皮埃尔·保罗·若贝尔;鲁道夫·莱斯曼;扬·布洛赫维茨-尼莫特;安斯加尔·维尔纳 | 申请（专利权）人： | 诺瓦莱德公开股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/44;H01L51/56;H01L51/52;H01L27/30;H01L27/32 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 关兆辉;谢丽娜 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于在有机光电子器件中形成电互连的方法、用于制造有机光电子器件的方法以及有机发光器件。所述用于在有机电子器件中形成电互连的方法包括如下步骤：提供第一导电层；在所述第一导电层上方沉积有机半导电层；在所述有机半导电层上方沉积第二导电层；以及通过向连接区域中照射激光，经由所述有机半导电层，通过将所述第一导电层与所述第二导电层电互连，在所述连接区域中形成所述第一导电层与所述第二导电层之间的电短路。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 有机 光电子 器件 形成 互连 方法 制造 以及 发光 | ||
【主权项】：
一种用于在有机电子器件中形成电互连的方法，所述方法包括步骤：提供第一导电层，在所述第一导电层上方沉积有机半导电层，在所述有机半导电层上方沉积第二导电层，以及通过向连接区域中照射激光，经由所述有机半导电层，通过将所述第一导电层与所述第二导电层电互连，在所述连接区域中形成所述第一导电层与所述第二导电层之间的电短路。
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