[发明专利]半导体存储装置及其测试及控制方法无效
| 申请号： | 201010579267.2 | 申请日： | 2010-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102568578A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 黄胤津;黄楚邦;刘正淇;李敏光;杨长展;张逸凡 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C29/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体存储装置及其测试及控制方法，包含一可变电压输入至一存储器单元控制栅。到控制栅的电压可从供正常的存储器单元操作(例如读取操作)用的电压电平改变至用以侦测存储器装置的缺陷的电压电平。在测试期间，被施加至控制栅的电压电平低于被施加至存储器单元的第二端子(例如漏极端子)的电压电平。在某些实施例中，缺陷的测试可包含施加负电压至控制栅，而正电压是被施加至漏极端子，其可显露栅极至漏极漏电流缺陷的存在。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 测试 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置的测试方法，其特征在于，包含以下步骤：施加一第一电压至一第一传导线，该第一传导线连接至该半导体存储装置的一存储器单元的一晶体管的一漏极或源极；施加一第二电压至一第二传导线，该第二传导线连接至该半导体存储装置的该存储器单元的该晶体管的一栅极，其中施加该第一与第二电压是被执行以使该第一传导线处于一高于该第二传导线的电压电位；以及在施加该第一与第二电压期间，至少部分基于该第二传导线的一电流的一电平，决定一缺陷是否出现在该半导体存储装置中。
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