[发明专利]一种耿氏二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201010580735.8 | 申请日： | 2010-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102544113A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 黄杰;杨浩;张海英;田超;董军荣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及微波器件中二极管技术领域，具体涉及一种耿氏二极管及其制备方法。一种耿氏二极管的外延片从下至上依次包括半导体绝缘GaAs衬底，高掺杂下底面n+GaAs层，有源区n-GaAs层，nsGaAs层，GaAs本征下隔离层，AlxGa1-xAs本征势垒层，GaAs本征上隔离层，高掺杂上表面n+GaAs层。本发明提供的耿氏二极管能够有效减小有源区n-GaAs层中的死区，增加直流到射频信号转换效率和提高热稳定性，且可以利用直流电压直接对输出振荡频率和功率调谐；本发明提供的耿氏二极管的制备方法简便，易于实现单片集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耿氏二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种耿氏二极管，其特征在于，所述耿氏二极管的外延片包括：半导体绝缘GaAs衬底，位于所述半导体绝缘GaAs衬底上外延生长的高掺杂下底面n+GaAs层，位于所述高掺杂下底面n+GaAs层上外延生长的有源区n‑GaAs层，位于所述有源区n‑GaAs层上外延生长的nsGaAs层，位于所述nsGaAs层上外延生长的GaAs本征下隔离层，位于所述GaAs本征下隔离层上外延生长的Al摩尔含量线性梯度变化的AlxGa1‑xAs本征势垒层，位于所述AlxGa1‑xAs本征势垒层上外延生长的GaAs本征上隔离层，位于所述GaAs本征上隔离层上外延生长的高掺杂上表面n+GaAs层。
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