[发明专利]一种大功率晶体管芯片硼铝扩散工艺

摘要

本发明涉及一种大功率晶体管芯片硼铝扩散工艺，包括以下步骤：1)源溶液配制：将纯硝酸铝a克、三氧化二硼b克溶于cml乙醇；2)硅片清洗；3)硅片烘干；4)将步骤3)烘干后的硅片表面均匀涂覆步骤1)配好的源溶液，放入扩散炉中，升温至1260±1℃恒温8-10小时；其中a∶b∶c＝40∶(1.5-2.5)∶500。本发明一种大功率晶体管芯片硼铝扩散工艺，采用了硼铝同时扩散的工艺方法，利用高温下铝有较快的扩散速率，硼有较高的表面浓度，可使硼的扩散深度达到100um～110um，使产品的抗烧能力大大的提高，放大倍数更稳定，该产品用于工作环境恶劣，可靠性要求高的特殊领域。

主权项

一种大功率晶体管芯片硼铝扩散工艺，其特征在于，包括以下步骤：1)、源溶液配制：将纯硝酸铝a克、三氧化二硼b克溶于cml乙醇；2)、硅片清洗：将硅片放入去离子水中超声去砂，然后将去砂的硅片放入石英烧杯中，加入1号标准清洗液，加热至沸腾，保持5‑10分钟，然后取出用去离子水洗干净；3)、硅片烘干：将步骤2)清洗干净的硅片用无水乙醇脱水，然后放入120±3℃烘箱中烘干；4)、将步骤3)烘干后的硅片表面均匀涂覆步骤1)配好的源溶液，然后放入石英舟中，将载有硅片的石英舟放入扩散炉中，升温至1260±1℃恒温8‑10小时；其中a∶b∶c＝40∶(1.5‑2.5)∶500。