[发明专利]一种制备硫化物量子点共敏化多孔二氧化钛光电极的方法无效

专利信息
申请号: 201010581176.2 申请日: 2010-12-09
公开(公告)号: CN102024572A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 赵元弟;韩宏伟;舒婷;周子明;汪恒;刘光辉;向鹏 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01G9/04 分类号: H01G9/04;H01G9/20;H01M14/00;H01L51/48
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 曹葆青
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种化学浴共沉积制备硫化物量子点共敏化多孔二氧化钛光电极的方法,包括以下步骤:在FTO玻璃上制备一层TiO2致密层和一定厚度的TiO2多孔膜,配置一定浓度的两种或两种以上可溶金属盐溶液,一定浓度的硫化钠溶液,用化学浴共沉积法在多孔二氧化钛膜上原位生成两种或两种以上硫化物量子点,制得硫化物量子点共敏化多孔二氧化钛光电极。此方法简单,快速,采用本发明制备的光电极制备太阳能电池,电池的光电转化性能得到提高。
搜索关键词: 一种 制备 硫化物 量子 点共敏化 多孔 氧化 电极 方法
【主权项】:
一种制备硫化物量子点共敏化多孔二氧化钛光电极的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:第1步将掺氟氧化锡导电玻璃烧至400~500℃,喷涂0.1~0.4mol/L二(乙酰丙酮基)钛酸二异丙酯的异丙醇溶液,保温5~20分钟,制得一层TiO2致密层;第2步在TiO2致密层上丝网印刷二氧化钛浆料,450~500℃烧30~60分钟制得多孔TiO2膜,膜厚为3~15μm;第3步在多孔TiO2膜上用化学浴沉积原位制备共敏化的硫化物量子点;第4步重复第3步3~10次,制得硫化物量子点共敏化多孔二氧化钛光电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010581176.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top